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ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。
- ROHM
- GaN器件
2023-03-07 14:21:45

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