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ROHM开发出配备VCSEL的小型接近传感器“RPR-0720”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向包括无线耳机和智能手表等可穿戴设备在内的需要脱戴检测和接近检测的各种应用，开发出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近传感器“RPR-0720”。
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ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC
为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。
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ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！
据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。
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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET， 有助于提高应用设备工作效率
全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。
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ROHM推出应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
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ROHM开发出12W级额定功率的0.85mm业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”
ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到业界超小级别的“PSR330”和“PSR100”，还计划推出0.2mΩ 的产品，以进一步增强“PSR系列”的产品阵容。
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ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。
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ROHM开发出精度达±1%的电流检测放大器IC“BD14210G-LA”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向无线基站、PLC*1 和逆变器等工业设备领域以及白色家电等消费电子领域，开发出更节省空间的高精度电流检测放大器IC“BD1421x-LA系列”。
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ROHM采用自有的电路和器件技术“TDACC™” 开发出小型智能功率器件
在汽车和工业设备领域，围绕自动驾驶（自动化）的技术创新日新月异，对安全性的要求也越来越高。在进行设备开发时，必须考虑到如何在紧急情况下确保功能安全*2。
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ROHM开发出以1220尺寸达到1W业界超高额定功率的分流电阻器“LTR10L”
近年来，不仅在移动设备和电动汽车等电池驱动的应用领域，即使是在插座电源供电的消费电子和工业设备领域，都为了节能而要求产品高效率工作。
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